赤外線加熱単結晶育成装置

クリスタルシステムFZ-T-4000-H-I-S-T

 

機器コード: SP11
機器カテゴリー: 試料・材料作製機器
利用形態:
 

機器の説明

水平面内に置かれた4個の楕円鏡の第一焦点にハロゲンランプ4個を配し,共有化された第二焦点の位置を鉛直方向に移動するように試料原材料棒をセットして,試料原材料棒の一帯域を集光加熱する浮遊帯域溶融(フローティングゾーン)方式の単結晶育成装置である。容器を使わず融液の表面張力で溶融帯が保持されるため,不純物混入や歪みを制御でき,高純度・高品質の単結晶育成が可能となる。最高到達温度2100°Cで,試料室の雰囲気は真空(0.006 pa),Air,Arガス,O2ガスから選択でき,雰囲気の最大圧力は10気圧である。

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設置場所

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